特許

J-GLOBAL ID：200903024270640593

プラズマエッチング方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 彦坂 幸信
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-049732
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250471
出願日： 1995年03月09日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 高速かつSiに対し高選択比のSiO2 のプラズマエッチングに関する。【構成】 弗素及び炭素を含むプラズマを間欠的に励起し,そのプラズマから流出するガスにより,直流バイアスされた基板ホルダ上に置かれた酸化膜をエッチングする。プラズマの消滅期間は,時間平均イオン濃度が80%以下となる時間以上,又は20μ秒以上とする。

請求項（抜粋）：

間欠的に励起されかつ弗素及び炭素を含むプラズマから流出するガスにシリコン基板上に設けられたシリコン酸化膜を暴露し,該シリコン酸化膜をシリコン基板に対して選択的にエッチングするプラズマエッチング方法において,該プラズマの消滅期間を,該プラズマの発生位置でのイオン濃度の時間平均値が該プラズマの消滅時のイオン濃度の80%以下かつ20%以上となる期間とし,該シリコン基板を直流バイアスが印加された基板ホルダ上に置くことを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 G ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 B