特許

J-GLOBAL ID：200903024272679446

プラズマ処理装置

発明者： 山口 伸二
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-226870
公開番号（公開出願番号）：特開平8-096987
出願日： 1994年09月21日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 塩素系ガスによるアルミ(Al)電極とアルミ(Al)電極板の接触面の腐食を防止できるAl電極及びAl電極板構造を得ることである。【構成】 Al電極1AとAl電極板2によりガス溜り部を持つ電極部を構成する。このとき、電極部の接ガス部には保護膜を付けているが、Al電極1AとAl電極板2との接触面については、電通のためAl素地となっている。この接触面に、塩素系ガスが侵入するのを防止するため、上記接触面を不活性ガス流で被うためのガス吹出し口4a、4bを、電極を取り付けたカバー4Aに設けている。【効果】 Al電極1A及びAl電極板2の長寿命化と、腐食による異物発生の防止による、信頼性が高く、ランニングコストの低いプラズマ処理装置(半導体製造装置)を得ることができる。

請求項（抜粋）：

円盤状のアルミ電極板と凹部状のアルミ電極とで囲まれた室を覆うカバーの外から塩素系ガスを導入し、前記アルミ電極とウエハが載置された下電極との間に電圧を印加して塩素系プラズマを発生させ、この塩素系プラズマを前記ウエハに当てるプラズマ処理装置において、前記アルミ電極と前記アルミ電極板との接触面へ不活性ガスを吹き付けるための吹出し口を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 G