特許

J-GLOBAL ID：200903024276821034

半導体装置及びその製造方法

発明者： 今井 馨太郎 ,  山崎 壮一 ,  出羽 光明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-172987
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012791
出願日： 1998年06月19日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 特性に優れたMFS型の電界効果トランジスタを得る。【解決手段】 半導体基板101上にバッファ絶縁膜102を形成する工程と、その上に開口部105を有する絶縁膜103,104を形成する工程と、この開口部105に導電体膜をエピタキシャル成長させ開口部内にゲート電極106を形成する工程と、このゲート電極上にゲート絶縁膜107として強誘電体膜をエピタキシャル成長させる工程と、このゲート絶縁膜上に半導体膜108を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

結晶性を有する下地上に形成されたエピタキシャル膜からなるゲート電極と、このゲート電極上に形成されたエピタキシャル膜からなるゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成された半導体膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Fターム (13件)：

5F001AA17 ,  5F001AG26 ,  5F001AG32 ,  5F045AA06 ,  5F045AC01 ,  5F045AE01 ,  5F045CA05 ,  5F083FR05 ,  5F083JA14 ,  5F083JA43 ,  5F083PR21 ,  5F083PR25 ,  5F083PR40