光半導体素子、該光半導体素子を用いた波長可変光源および光断層画像取得装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：柳田征史 , 佐久間剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-112668
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270585
出願日： 2007年04月23日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：

【課題】製造容易で広帯域な利得スペクトル幅を有し、長時間安定して発光する光半導体素子を実現する。【解決手段】素子内における共振が抑制され、GaAs基板11上に0.9μm以上かつ1.2μm以下の中心波長λcで発光する発光層が積層されている光半導体素子10において、発光層が、第1の中心波長例えば1.06μmで発光する第1のInXGa1-XAs量子ドット層(0≦x≦1)、第1の中心波長とは異なる第2の中心波長例えば1.09μmで発光する第2のInXGa1-XAs量子ドット層(0≦x≦1)とを含む多重量子ドット層である。このため、多重量子ドット層間の転位が回避される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

素子内における共振が抑制され、GaAs基板上に0.9μm以上かつ1.2μm以下の中心波長λcで発光する発光層が積層されている光半導体素子において、前記発光層が、第1の中心波長λ1で発光する第1のInXGa1-XAs量子ドット層(0≦x≦1)および第1の中心波長λ1とは異なる第2の中心波長λ2で発光する第2のInXGa1-XAs量子ドット層(0≦x≦1)とを備える多重量子ドット層であることを特徴とする光半導体素子。

IPC (4件)：

H01S 5/343 , G01B 9/02 , G01B 11/24 , G01N 21/17

FI (4件)：

H01S5/343 , G01B9/02 , G01B11/24 D , G01N21/17 620

Fターム (70件)：

2F064AA09 , 2F064EE01 , 2F064FF02 , 2F064FF03 , 2F064FF08 , 2F064GG02 , 2F064GG12 , 2F064GG13 , 2F064GG24 , 2F064GG44 , 2F064GG49 , 2F064GG52 , 2F064HH01 , 2F064HH03 , 2F064HH06 , 2F064HH08 , 2F064JJ15 , 2F065AA52 , 2F065AA53 , 2F065BB05 , 2F065CC16 , 2F065FF52 , 2F065GG06 , 2F065GG07 , 2F065GG25 , 2F065JJ01 , 2F065JJ03 , 2F065JJ05 , 2F065JJ26 , 2F065LL02 , 2F065LL04 , 2F065LL12 , 2F065LL46 , 2F065LL62 , 2F065NN06 , 2F065PP11 , 2F065QQ16 , 2F065QQ31 , 2F065SS13 , 2F065UU07 , 2G059AA05 , 2G059BB12 , 2G059CC16 , 2G059EE09 , 2G059GG02 , 2G059HH01 , 2G059JJ11 , 2G059NN05 , 2G059PP04 , 5F173AA05 , 5F173AA48 , 5F173AB34 , 5F173AB78 , 5F173AF08 , 5F173AG05 , 5F173AH03 , 5F173AP05 , 5F173AP32 , 5F173AR06 , 5F173AS01 , 5F173MF13 , 5F173MF18 , 5F173MF23 , 5F173MF28 , 5F173MF39 , 5F173MF40 , 5F173SA09 , 5F173SA12 , 5F173SA26 , 5F173SC10

引用特許：

出願人引用 (1件)

スペクトル干渉に基づく光学・トモグラフィ-および光学表面プロファイル測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-082817 出願人：カールツァイスイエナゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

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