特許
J-GLOBAL ID:200903024280354610

ポリエチレンナフタレートビベンゾエート(PENBB)の層を含む二軸延伸フィルム、これらのフィルムの製法およびそれらの使用

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 一雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-180352
公開番号(公開出願番号):特開平6-199999
出願日: 1993年07月21日
公開日(公表日): 1994年07月19日
要約:
【要約】【目的】 剛性及び耐熱性にすぐれた、薄い磁気デープおよびコンデンサー誘導体を製造するためのフィルム、およびその製造法の提供。【構成】 本発明は、ジカルボン酸由来の反復単位として式【化1】の少なくとも1個の単位を含むコポリエステルを含み、該反復単位が、該コポリエステル中に存在する、ジカルボン酸由来の反復単位の少なくとも25モル%までを構成する、総厚が0.05〜500μm の、単層または多層の、二軸延伸フィルムに関する。また、本発明は、コポリエステルが10モル%未満のテレフタル酸エステルに由来する反復単位を含み、式IIの反復単位の含有量が少なくとも5モル%である二軸延伸フィルムにも関する。ジカルボン酸由来の式IIおよびI【化2】の反復単位からなる二軸延伸フィルムが好ましい。
請求項(抜粋):
総厚が0.05〜500μm の単層または多層の二軸延伸フィルムであって、ジカルボン酸由来の反復単位として式【化1】で表わされる少なくとも1個の単位を含むコポリエステルを含み、前記反復単位が、前記コポリエステル中に存在する、ジカルボン酸由来の反復単位の少なくとも25モル%を構成する、ことを特徴とするフィルム。
IPC (7件):
C08G 63/181 NME ,  B29C 55/12 ,  C08G 63/18 NMD ,  C08G 63/189 NMZ ,  C08G 63/19 NNC ,  B29K 67:00 ,  B29L 7:00

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