特許
J-GLOBAL ID：200903024283041893
有機金属気相成長法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007648
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198510
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 III-V族化合物半導体のヘテロ構造を形成する有機金属気相成長法の改良に関し、自然超格子の発生を防止するために高温で、かつ、V族/ III族比の低い III-V族化合物半導体を成長する場合に、ヘテロ界面に結晶欠陥が発生しないようにする有機金属気相成長法を提供することを目的とする。【構成】 III族元素を含み組成または組成比の異なる III-V族化合物半導体のヘテロ構造を形成する有機金属気相成長法において、ヘテロ構造を構成する各々の III-V族化合物半導体に含まれる III族元素に対応する原料をヘテロ界面形成時に同時に供給するように構成する。
請求項（抜粋）：
III族元素を含み組成または組成比の異なる III-V族化合物半導体のヘテロ構造を形成する有機金属気相成長法において、前記ヘテロ構造を構成する各々の III-V族化合物半導体に含まれる III族元素に対応する原料をヘテロ界面形成時に同時に供給することを特徴とする有機金属気相成長法。
引用特許：
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