特許
J-GLOBAL ID：200903024284327774
半導体発光素子およびその製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-000715
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200924
出願日： 1999年01月05日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】【課題】 発光層で発光する効率である内部量子効率を高く維持しながら外部に取り出す光の割合である外部量子効率を高くすることができる半導体発光素子およびその製法を提供する。【解決手段】 たとえばn形のGaAsからなる半導体基板1の表面に反射層12が設けられている。そして、InGaAlP系化合物半導体またはAlGaAs系化合物半導体からなりn形層2およびp形層4が積層されて発光層を形成する発光層形成部9が前記半導体基板1の反射層12上に接着されることにより形成されている。
請求項（抜粋）：
表面に反射層が設けられた半導体基板と、InGaAlP系化合物半導体またはAlGaAs系化合物半導体からなりn形層およびp形層が積層されて発光層を形成する発光層形成部とからなり、該発光層形成部が前記半導体基板の前記反射層上に接着されてなる半導体発光素子。
Fターム (9件)：
5F041AA03
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA77
