特許

J-GLOBAL ID：200903024284706635

光起電力素子の製造方法

発明者： 高濱 豪 ,  中井 拓夫 ,  坂田 仁
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-284427
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112011
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 光電変換効率が高い光起電力素子の製造方法を提供する。【解決手段】 i型のシリコン水素合金層20が凹凸化された表面に形成されたn型の単結晶シリコン基板1を(a)、H2 で希釈されたB2 H6 ガスのプラズマ中に曝し、i型のシリコン水素合金層20の表面からある深さまでボロン原子を混入させて(b)、i型のシリコン水素合金層2及びp型のシリコン水素合金層3の積層構造を形成する(c)。

請求項（抜粋）：

結晶系シリコン基板を有する光起電力素子を製造する方法において、前記結晶系シリコン基板の表面に電気抵抗を小さくする不純物を実質的に含まないシリコン水素合金層を形成する工程と、電気抵抗を小さくする不純物を含むガスを励起した雰囲気に、前記シリコン水素合金層が形成された前記結晶系シリコン基板を曝して、前記不純物を前記シリコン水素合金層に拡散させる工程とを有することを特徴とする光起電力素子の製造方法。