特許
J-GLOBAL ID：200903024286741063
フォトマスクの欠損欠陥修正方法およびその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-136814
公開番号（公開出願番号）：特開平8-006233
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：
【要約】【目的】 フォトマスクの欠損欠陥を修正する際に、耐腐食性に優れ、かつ、線制御性に優れた薄膜を堆積させる。【構成】 CW励起(連続発振)Qスイッチレーザを用いた熱CVD法によるフォトマスクの欠損欠陥を修正する方法において、モリブデンカルボニルガスを含んだガス雰囲気中で、前記CW励起Qスイッチレーザ光を前記フォトマスクの欠損欠陥部に集光照射することで第1の薄膜を堆積させる第1の工程と、クロムカルボニルガス雰囲気中で、前記第1の工程とは異なるQスイッチレートの前記CW励起Qスイッチレーザ光を前記第1の薄膜上に集光照射することで第2の薄膜を堆積させる第2の工程とを行う。
請求項（抜粋）：
連続発振(CW励起)Qスイッチレーザを用いた熱CVD法によるフォトマスクの欠損欠陥を修正する方法において、モリブデンカルボニルガスを含んだガス雰囲気中で、前記CW励起Qスイッチレーザ光を前記フォトマスクの欠損欠陥部に集光照射することで第1の薄膜を堆積させる第1の工程と、クロムカルボニルガス雰囲気中で、前記第1の工程とは異なるQスイッチレートの前記CW励起Qスイッチレーザ光を前記第1の薄膜上に集光照射することで第2の薄膜を堆積させる第2の工程とを含むことを特徴とするフォトマスクの欠損欠陥修正方法。
引用特許：
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