特許

J-GLOBAL ID：200903024294878680

基板バイアス発生回路

発明者： 山田 仁 ,  石村 民弘 ,  大槻 欣男
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-324809
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160715
出願日： 1991年12月09日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 発振回路内で生じる貫通電流を防止し、チャージポンプ停止時に発振回路から出力されるパルス信号の周期を長くして消費電力の低減化を図る。【構成】 発振回路100の発振時において、各反転回路110〜150内のPMOS112〜152またはNMOS113〜153のいずれか一方がオフ状態となるので、該反転回路110〜150内を流れる貫通電流を遮断できる。

請求項（抜粋）：

所定周期のパルス信号を出力する発振回路と、前記パルス信号により充電されて基板バイアス電圧を生成するチャージポンプ回路と、前記基板バイアス電圧を検出してそのレベルに応じた“H”レベルまたは“L”レベルの制御信号を出力し、前記チャージポンプ回路の動作をオン,オフ制御する基板バイアスレベル検出回路とを、備えた基板バイアス発生回路において、前記発振回路は、カスケード接続された奇数段の反転回路を有し、その各反転回路は、前段の反転回路の出力を反転して後段の反転回路へ与えるインバータと、該インバータの一方の電極と第1の電源電位との間に接続された第1のスイッチ手段と、該インバータの他方の電極と第2の電源電位との間に接続された第2のスイッチ手段とを有し、該第1及び第2のスイッチ手段が2K(但し、Kは整数)段前の反転回路の入力側電位により、オン,オフ制御される構成にしたことを特徴とする基板バイアス発生回路。

IPC (4件)：

H03K 19/094 ,  G11C 11/413 ,  G11C 11/407 ,  H01L 27/04

FI (3件)：

H03K 19/094 D ,  G11C 11/34 335 C ,  G11C 11/34 354 F