特許

J-GLOBAL ID：200903024299195459

半導体装置の製造方法

発明者： 内山 朋幸
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-081323
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267959
出願日： 1993年03月16日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 アルミニウム配線のエレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性を共に高める。【構成】 MOSトランジスタの層間絶縁膜7にコンタクトホールを形成した後、成膜温度500〜550°C、成膜ガス圧8mTorr及び成膜パワー10kWの高温スパッタ法にて膜厚600nmの多結晶アルミニウム膜8を成膜する。次に、この多結晶アルミニウム膜8の表層部を非晶質アルミニウム膜9にすべく、ドーズ量が1×1015cm-2以上、注入エネルギー100keVの条件にてアルゴンのイオン注入を行う。さらに、パターニング後、シンターを行い、ソース/ドレイン拡散層5及び6と下層の多結晶アルミニウム膜8′とのオーミック接触をとる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁膜上にアルミニウム又はアルミニウム系合金からなる配線層を500°C以上の温度でスパッタリング成膜する成膜工程と、前記成膜工程後に前記配線層の表面へイオン注入するイオン注入工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/90 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 29/78 301 Y