特許
J-GLOBAL ID：200903024304069530
薄膜形成装置の原料ガス供給系および薄膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-253671
公開番号（公開出願番号）：特開2004-091848
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】原料ガスの切り換えを早くするために原料ガスが混合するのを防止するとともに、均一な成膜をするために原料ガスを均一に基板全面に広げることができる薄膜形成装置の原料ガス供給系及び薄膜形成装置を提供する。【解決手段】原料ガスを原料ガス供給源20から供給して反応室10にある基板11を処理する薄膜形成装置の原料ガス供給系において、原料ガス供給源20に接続する主供給管30と、第一の端部41が主供給管30に接続し、複数の第二の端部42が反応室10に接続するように複数に分岐する分岐管40とを有し、第一の端部41と複数の夫々の第二の端部42との間のコンダクタンスが等しい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
原料ガスを原料ガス供給源から供給して反応室にある基板を処理する薄膜形成装置の原料ガス供給系において、前記原料ガス供給源に接続する主供給管と、第一の端部が前記主供給管に接続し、複数の第二の端部が前記反応室に接続するように複数に分岐する分岐管とを有し、前記第一の端部と前記複数の夫々の第二の端部との間のコンダクタンスが等しいことを特徴とする薄膜形成装置の原料ガス供給系。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
4K030EA00
, 4K030EA01
, 4K030KA45
, 4K030LA00
, 4K030LA15
, 5F045AA06
, 5F045BB05
, 5F045BB08
, 5F045DP04
, 5F045EF08
, 5F045EF09
