特許
J-GLOBAL ID：200903024309596180
コンタクトホールの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-124323
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333882
出願日： 1993年05月26日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 テ-パ-角度のばらつきの発生等を防止し、テ-パ-付きのコンタクトホ-ルを安定に形成する方法を提供する。【構成】 ドライエッチングにより、ほぼ垂直にコンタクトホ-ル(13)を開口した後に、半導体基板(11)の上方から、Arイオンをスパッタする。これにより、コンタクトホ-ル(13)のエッジ部分の絶縁膜がコンタクトホ-ル(13)の底部へ移動する結果、テ-パ-が形成される。テ-パ-角度θ1,θ2は一定のスパッタ時間以上では飽和し、一定となる。
請求項（抜粋）：
絶縁膜に対するコンタクトホールの形成方法において、ドライエッチングによりコンタクトホールを開口した後に、半導体基板の上方からArイオンをスパッタすることにより、該コンタクトホールにテーパーを付することを特徴とするコンタクトホールの形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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