特許

J-GLOBAL ID：200903024316837540

半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 篤
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-003986
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200105
出願日： 1997年01月13日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 PMOSのポリシリコン・ゲート電極にp型不純物として含まれるB(ホウ素)原子の拡散を、ゲート電極の空乏化、シート抵抗の上昇、ゲート絶縁膜の蓄積容量の低下を伴わずに抑制する。【解決手段】 CMOSの製造プロセスにおいて、PMOS形成領域へのイオン注入にBN+ イオンを用いることで、B原子とN原子とを常に化学量論的に同数だけ導入する。この後、熱処理を行い、B-N複合体の形で半導体層中のホウ素を安定化させると共に、ホウ素を活性化させる。N原子の一部は、ポリシリコンの粒界またはゲート酸化膜との界面近傍に偏析してB原子拡散のバリヤとなる。

請求項（抜粋）：

半導体層に窒化ホウ素イオンをイオン注入する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/265 P ,  H01L 27/08 321 B