特許

J-GLOBAL ID：200903024317553171

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： 藤平 景子 ,  大塚 健一 ,  樽井 陽一郎 ,  今泉 昌之 ,  高見 哲也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-351138
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116893
出願日： 2003年10月09日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】 製造コストが安価でかつ素子特性に優れた炭化珪素半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】 炭化珪素半導体装置の製造方法を、酸素雰囲気下での熱酸化によって炭化珪素層2が形成されたウエハ上に二酸化珪素膜5を形成する熱酸化工程と、二酸化珪素膜5が形成されたウエハを二窒化酸素雰囲気中で950°C以上1150°C以下の温度で熱処理する熱処理工程と、を含んでなることとし、熱酸化工程と熱処理工程で形成される二酸化珪素膜5の層厚の合計を2nm以上50nm以下とした。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素層を有する炭化珪素半導体装置の製造方法であって、 酸素雰囲気下での熱酸化によって前記炭化珪素層が形成されたウエハ上に二酸化珪素膜を形成する熱酸化工程と、 前記二酸化珪素膜が形成されたウエハを二窒化酸素雰囲気中で950°C以上1150°C以下の温度で熱処理する熱処理工程と、を含んでなり、 前記熱酸化工程と前記熱処理工程で形成される二酸化珪素膜の層厚の合計が2nm以上50nm以下であることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

FI (6件)：

H01L21/316 P ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 654Z ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658F

Fターム (5件)：

5F058BA05 ,  5F058BC02 ,  5F058BF62 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ04