特許

J-GLOBAL ID：200903024319650557

レーザアブレーション法による薄膜の作製方法

発明者： 永石 竜起 ,  糸▲崎▼ 秀夫
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-039142
公開番号（公開出願番号）：特開平7-224376
出願日： 1994年02月14日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【構成】 酸化物超電導薄膜をレーザアブレーション法で作製する場合に、ターゲット上におけるビーム断面のアスペクト比が0.2以下のレーザビームを使用する。【効果】 膜厚分布の均一性および対称性が高い酸化物超電導薄膜が作製可能である。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内でターゲットにレーザ光を照射して、前記ターゲットに対向して配置した基板上に薄膜を成長させるレーザアブレーション法により薄膜を作製する方法において、レーザ光の前記ターゲット上におけるビーム断面が偏平なレーザ光を使用することを特徴とする薄膜の作製方法。

IPC (7件)：

C23C 14/28 ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C04B 35/00 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA