GaAs半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-146400
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007024
出願日： 1993年06月17日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 GaAs半導体基板の裏面に金層が堅固に密着したGaAs半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】素子が形成されていない基板裏面が酸で洗浄される。次に、真空容器中でGaAs半導体基板11の裏面にプラチナ層12および金層13が順次蒸着される。その後、半導体装置が真空容器内から取り出され、250°Cで60分間の熱処理が行われる。プラチナは250°Cから300°Cの温度でGaAsと固層反応を起こし、プラチナ層12と基板裏面のGaAs層との界面にはPt-PtGa-PtAs2 -GaAsの安定した多層構造が形成される。

請求項（抜粋）：

GaAs半導体基板裏面のGaAs層にプラチナ層またはクロム層が固層反応して形成された第1の層と、この第1の層上に形成された金からなる第2の層とを備えていることを特徴とするGaAs半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-079236
特開平4-286362
特開昭61-078176

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