特許
J-GLOBAL ID：200903024323811611
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-270439
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120205
出願日： 1992年10月08日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】本発明は、ECRプラズマCVD法により層間絶縁膜やカバー絶縁膜等の絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法に関し、水分の吸収を軽減する、膜質の改善された絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】電子サイクロトロン共鳴によりプラズマ化された励起ガスにより反応ガスをプラズマ化し、磁界の向きが相対向する発散磁場と強制磁場との合成磁場により反応ガスのプラズマの存在領域を制限した状態で、反応ガスのプラズマの存在領域であって合成磁場のカスプ面又はその近傍に設置され、かつ所定の高周波電力が印加されているウエハ32上に絶縁膜35を形成することを含み構成する。
請求項（抜粋）：
電子サイクロトロン共鳴によりプラズマ化された励起ガスにより反応ガスをプラズマ化し、磁界の向きが相対向する発散磁場と強制磁場との合成磁場により前記反応ガスのプラズマの存在領域を制限した状態で、前記反応ガスのプラズマの存在領域であって前記合成磁場のカスプ面又はその近傍に設置され、かつ所定の高周波電力が印加されているウエハ上に絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/31
, C23C 16/50
, G01N 24/14
, G01R 33/64
