特許

J-GLOBAL ID：200903024324022831

半導体装置の製造方法

発明者： 黒岩 慶造 ,  国吉 伸治 ,  斉藤 信一 ,  須向 一行 ,  栗原 雅宏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-344460
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162116
出願日： 1995年12月05日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 ベーキング装置の汚染や膜厚が非対称形になるのを防止しつつウエハ周辺部に溜まった余剰のフォトレジストを除去する。【解決手段】 回転中のウエハ2の第1主面にフォトレジスト液21を滴下して塗布するとともに、ウエハの第2主面を溶剤18を噴射して洗浄する。第2主面に残留部24が無い状態で塗布膜23が形成されたウエハ2を加熱してベーキング膜25を形成する。その後、ウエハ2を回転させながら第2主面の外周辺部に溶剤18を噴射して残留部24を除去し縁取り膜27を形成する。【効果】 塗布膜がベーキングされるのに先立ち第2主面の残留部が除去されるため、ベーキング装置は汚染されない。ベーキング後に縁取り作業が実施されるため、縁取り作業中にフォトレジストが流動せず非対称形の発生は防止される。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハにパターンを形成するためのリソグラフィーによる半導体装置の製造方法は以下の工程を備えている。(a) 回転されている半導体ウエハの第1主面に液状のフォトレジストが供給されてフォトレジストが塗布されるとともに、この半導体ウエハの第2主面にフォトレジスト用の溶剤が供給されて第2主面が洗浄されるフォトレジスト塗布洗浄工程。(b) 前記フォトレジストが塗布された半導体ウエハが加熱されてフォトレジストがベーキングされるベーキング工程。(c) 前記フォトレジストをベーキングされた半導体ウエハが回転されるとともに、この半導体ウエハの第2主面における外周辺部にフォトレジスト用の溶剤が供給されて、この半導体ウエハの第1主面における外周辺部に溜まった余剰のフォトレジストが環状に除去される縁取り工程。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/16 502

FI (3件)：

H01L 21/30 577 ,  G03F 7/16 502 ,  H01L 21/30 564 D