特許
J-GLOBAL ID：200903024329743677
電解銅箔の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-207680
公開番号（公開出願番号）：特開平10-036991
出願日： 1996年07月19日
公開日（公表日）： 1998年02月10日
要約：
【要約】【課題】 プリント回路基板の製造に有用な、エッチング性に優れた低プロファイルの電解銅箔を製造すること。【解決手段】 回転するカソードと該カソードに対向するアノードとの間に電解液として硫酸酸性硫酸銅溶液を流し電解銅箔を製造する方法において、硫酸酸性硫酸銅溶液がチオ尿素及び/又はその誘導体を0.5ppm以上含有しかつ液流速を1.5m/sec以上としたことを特徴とする。電解銅箔のマット面の表面粗さ(Rz)は3μm以下である。
請求項（抜粋）：
回転するカソードと該カソードに対向するアノードとの間に電解液として硫酸酸性硫酸銅溶液を流し電解銅箔を製造する方法において、硫酸酸性硫酸銅溶液がチオ尿素及び/又はその誘導体を0.5ppm以上含有し、かつ、該硫酸酸性硫酸銅溶液の液流速を1.5m/sec以上としたことを特徴とする低プロファイルの電解銅箔の製造方法。
IPC (3件)：
C25D 1/04 311
, C25D 7/06
, H05K 1/09
C25D 1/04 311
, C25D 7/06 A
, H05K 1/09 A
