特許
J-GLOBAL ID：200903024334515070
半導体不揮発性記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-355640
公開番号（公開出願番号）：特開平11-185491
出願日： 1997年12月24日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】メモリの記録効率を大きく犠牲にすることなしに、大幅に信頼性の向上を図ることのできる多値型半導体不揮発性記憶装置を実現する。【解決手段】アナログデータをデジタル変換したデジタルデータを記録する半導体不揮発性記憶装置において、各メモリセルが単ビットデジタル情報を記録する第1のメモリアレイ領域11および12と、各メモリセルが2ビットデジタル情報を記録する第2のメモリアレイ領域13および13とを備え、上記デジタルデータを、MSB側のビットデータをLSB側のビットデータに分割し、MSB側のビットデータを上記第1のメモリアレイ領域に記録し、LSB側のビットデータを上記第2のメモリアレイ領域に記録するようにした。
請求項（抜粋）：
アナログデータをデジタル変換したデジタルデータを記録する半導体不揮発性記憶装置であって、各メモリセルがjビット(j≧1)の単ビットデジタル情報または多ビットデジタル情報を記録するメモリアレイを少なくとも1個備えた第1のメモリアレイ領域と、各メモリセルがkビット(k>j)の多ビットデジタル情報を記録するメモリアレイを少なくとも1個備えた第2のメモリアレイ領域と、上記デジタルデータを、MSB側のビットデータとLSB側のビットデータに分割する手段と、上記デジタルデータのうち、上記MSB側のビットデータを上記第1のメモリアレイ領域の対応するメモリセルに記録する手段と、上記デジタルデータのうち、上記LSB側のビットデータを上記第2のメモリアレイ領域の対応するメモリセルに記録する手段とを備えた半導体不揮発性記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 631
, G11C 17/00 641
