特許
J-GLOBAL ID：200903024336371017
結晶珪素半導体作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-346701
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264441
出願日： 1995年12月12日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタ(TFT)等の半導体装置にとって好ましい特性を示す結晶性珪素膜を得る。【構成】 ガラス基板上にプラズマCVD法や熱CVD法等のCVD法によって酸化珪素膜を堆積した後、該酸化珪素膜を大気に触れさせることなく、連続的にその上に非晶質珪素膜を堆積する。そそて、これにニッケル等の触媒元素を添加して、400〜750°Cでアニール処理をおこない、結晶化させる。さらにこれにレーザー光を照射することによって、結晶性を高めた結晶性珪素膜を得る。このようにして得られた結晶性珪素膜においては、触媒元素が珪素膜の下の酸化珪素に拡散して、珪素膜中での触媒元素の濃度が低下し、これを用いることで、高い特性(特にオフ電流が小さい)を有するTFT等の半導体装置を得ることができる。
請求項（抜粋）：
(1)絶縁表面上に気相成長(CVD)法により450°C以下の温度によって酸化珪素膜を成膜する工程と、(2)前記酸化珪素膜を大気に触れさせることなく、その上に非晶質珪素膜を堆積する工程と、(3)非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を前記非晶質珪素膜に加熱することによって混入せしめ、前記非晶質珪素膜の一部もしくは全部を結晶化させる工程と、を有することを特徴とする結晶珪素半導体作製方法。
IPC (8件)：
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/268
, H01L 21/316
, H01L 21/324
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/268 Z
, H01L 21/316 P
, H01L 21/324 Z
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 627 G
