特許

J-GLOBAL ID：200903024336852694

相補分子間の結合検出方法およびその方法に利用されるせん断応力測定センサー

発明者： 趙 允 ▲けい▼ ,  金 宣 希 ,  ▲ご▼ 光 ▲いく▼ ,  林 根 培 ,  尹 大 成
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-308525
公開番号（公開出願番号）：特開2003-185665
出願日： 2002年10月23日
公開日（公表日）： 2003年07月03日
要約：

【要約】【課題】 プローブとターゲットとの結合を高精度に検出できる方法を提供する。【解決手段】 プローブとターゲットとの反応前後のセンサー基板(14)表面のせん断応力を測定し、そのせん断応力の差によって、プローブとターゲットとの結合を検出する。

請求項（抜粋）：

(a) センサー基板の表面にプローブを付着させる段階と、(b) 前記センサー基板の表面と平行に対向する試料基板にターゲットを含む試料を投入する段階と、(c) 前記センサー基板と前記試料基板との間隔を前記プローブターゲット複合体の大きさに合わせて調節する段階と、(d) 前記センサー基板に付着しているプローブを前記試料に含まれるターゲットと反応させる段階と、(e) 前記反応前後における前記センサー基板の表面のせん断応力の変化を測定する段階とを含む相補分子間の結合検出方法。

IPC (5件)：

G01N 33/53 ,  G01L 1/00 ,  G01N 13/20 ,  G01N 33/566 ,  G01N 37/00 102

FI (5件)：

G01N 33/53 M ,  G01L 1/00 L ,  G01N 13/20 A ,  G01N 33/566 ,  G01N 37/00 102

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第6,141,096号明細書
  
• 米国特許第6,096,273号明細書
  
• 米国特許第6,090,933号明細書
  
• 米国特許第6,043,031号明細書