特許
J-GLOBAL ID：200903024337807250
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-159719
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074254
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】救済率が向上すると共に微細化された溶断部を備えた半導体装置を提供する。【構成】第2のSiO2 膜26にコンタクトホール28を形成し、このコンタクトホール28の内部にAlからなる溶断部30を形成した。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板に形成された所定の機能を有する回路と、前記回路と同じ機能を有する冗長回路と、レーザにより溶断されるか否かに応じて前記回路もしくは冗長回路のいずれかを動作させるための溶断部とを備えた半導体装置において、前記溶断部が、前記半導体基板のコンタクトホールに形成されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/82
, H01L 21/3205
