特許

J-GLOBAL ID：200903024340979470

半導体装置の製造方法

発明者： 平尾 秀司 ,  小川 久 ,  寺井 由佳 ,  関口 満 ,  宮永 績 ,  福本 正紀
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-011386
公開番号（公開出願番号）：特開平6-089984
出願日： 1993年01月27日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【構成】 半導体装置の製造方法であって、不均一な厚さを有するシリコン酸化膜13をシリコン膜上12に形成する工程と、WF6を含むガスによってシリコン酸化膜13の少なくとも一部を還元し、かつ、WF6とシリコン膜12の露出した表面とを不均一に反応させながら、タングステン膜14をシリコン膜12上に成長させる工程と、タングステン膜14を除去する工程とを包含する。【効果】 再現性よく、シリコン膜12の表面積を増加することができる。

請求項（抜粋）：

不均一な厚さを有する酸化膜をシリコン上に形成する工程と、金属元素を含有するガスによって該酸化膜の少なくとも一部を還元し、かつ、該ガスと該シリコンの露出した表面とを反応させながら、該金属元素を含む金属膜を該シリコン上に成長させる工程と、該金属膜を除去する工程とを包含する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04