特許
J-GLOBAL ID:200903024344958590

半導体製品の表面研磨システム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 曾我 道照 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-079703
公開番号(公開出願番号):特開平11-277380
出願日: 1998年03月26日
公開日(公表日): 1999年10月12日
要約:
【要約】【課題】 シリカゾル系研磨液を用いる半導体製品の表面研磨システムにおいて、使用済の研磨液を再生し、これを循環使用して高研磨効率を維持しつつ、且つ安定して良好な研磨を行うことのできる半導体製品の表面研磨システムを提供すること。【解決手段】 アルカリ性シリカゾル組成物からなる研磨液を使用して半導体製品表面を研磨する第1工程と、使用済研磨液のシリカ濃度、pH及び/又は金属含量を調整して再生研磨液とする第2工程と、前記第2工程で得られた再生研磨液を第1工程の研磨液の一部若しくは全部に置換する第3工程と、を備えた半導体製品の表面研磨システム。
請求項(抜粋):
アルカリ性シリカゾル組成物からなる研磨液を使用して半導体製品表面を研磨する第1工程と、使用済研磨液のシリカ濃度、pH及び/又は金属含量を調整して再生研磨液とする第2工程と、前記第2工程で得られた再生研磨液を第1工程の研磨液の一部若しくは全部に置換する第3工程と、を備えた半導体製品の表面研磨システム。
IPC (5件):
B24B 1/00 ,  B01J 19/00 311 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622
FI (5件):
B24B 1/00 A ,  B01J 19/00 311 Z ,  B24B 37/00 H ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 E

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