特許
J-GLOBAL ID：200903024350383834
金属の埋め込み構造およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-302950
公開番号（公開出願番号）：特開平5-206301
出願日： 1991年11月19日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 ポリイミド膜が形成されている配線基板上のポリイミド開口部に金属電極ろう着用の低融点金属を埋め込む際、外部へ拡散させない。【構成】 第1のポリイミド4開口部の内壁にTi/W膜5を形成し、さらに、第2のポリイミド7をマスクとしかつTi/W膜を電解メッキの析出電極としてAu/In合金9を第1のポリイミド開口部に選択的に成長させた後、第1のポリイミド4表面上の第2のポリイミド7及びTi/W膜5を選択的に除去することにより、基板1のアルミ配線3上にAu/In融液が第1のポリイミドの開口部より拡散しない。
請求項（抜粋）：
配線が形成された基板の上に、配線上に開口部を有するポリイミドが形成され、この開口部の底面および側面に導伝性材料からなる拡散防止膜が形成され、前記拡散防止膜の内側にろう着材である低融点の金属が埋め込まれていることを特徴とする金属の埋め込み構造。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/288
, H01L 21/321
