特許
J-GLOBAL ID：200903024353622457
半導体基板および薄膜半導体部材ならびにそれらの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-360429
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195562
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【課題】 多孔質層における歪みが少なく多孔質層において容易に分離することができる半導体基板および優れた結晶性を有する薄膜半導体部材ならびにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 基板本体11の上に半導体よりなる多孔質層12を介して半導体薄膜13が形成される。半導体薄膜13は多孔質層12から分離され薄膜半導体部材として用いられる。多孔質層12は厚さ方向において不純物濃度が変化しているかあるいは不純物濃度が1×1018cm-3以上となっている。よって、多孔質層12を陽極化成により形成する際に電流密度を小さくしても、多孔質層12の多孔率を厚さ方向において変化させることができる。従って、多孔質層12の歪みを少なくできると共に多孔質層12において容易に分離することができ、半導体薄膜13の結晶性も向上させることができる。
請求項（抜粋）：
多孔質の半導体よりなり、厚さ方向において不純物濃度に変化を有する多孔質層を備えたことを特徴とする半導体基板。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 21/3063
, H01L 31/04
H01L 21/02 B
, H01L 21/306 L
, H01L 31/04 H
