特許
J-GLOBAL ID：200903024359134810

ナイトライド系III-V族化合物半導体装置及びその製造方法

発明者：
堀野 和彦

堀野 和彦 について

, 
倉又 朗人

倉又 朗人 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-094994
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284263
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】 ナイトライド系III-V族化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ナイトライド系III-V族化合物半導体成長層の結晶欠陥を低減し、特性を向上する。【解決手段】 C軸に平行な面にナイトライド系III-V族化合物半導体を積層したナイトライド系III-V族化合物半導体装置のC軸方向に成長した横方向成長層5上に能動領域6を設ける。
請求項（抜粋）：
C軸に平行な面にナイトライド系III-V族化合物半導体を積層したナイトライド系III-V族化合物半導体装置において、C軸方向に成長した横方向成長層上に能動領域を設けたことを特徴とするナイトライド系III-V族化合物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323
Fターム (39件)：
5F041AA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F045AA06 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045CB02 ,  5F045DB01 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA05
引用特許：
審査官引用 (1件)

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