特許

J-GLOBAL ID：200903024359690586

構造化された金属酸化物含有層および半導体構造素子の製造方法

発明者： ヴァルター ハルトナー ,  ギュンター シンドラー ,  フォルカー ヴァインリヒ ,  マティアス アールステット
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-393554
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237402
出願日： 2000年12月25日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】 構造化された金属酸化物含有層を製造する方法を提供する。【解決手段】 前記方法は、以下の処理工程からなる:基板を用意し、基板上に金属酸化物含有層を被覆し、金属酸化物含有層を構造化し、金属酸化物含有層の少なくとも縁部を覆う修復層を被覆し、その際この層は、金属酸化物含有層に含まれているが、構造化により縁部では化学量論的組成で不足量を有する、少なくとも1種の元素を含有し、かつ金属酸化物含有層の縁部の損傷領域で修復層から元素の拡散が行われるように熱処理を実施する。

請求項（抜粋）：

以下の処理工程:基板を用意し、基板上に金属酸化物含有層(32)を被覆し、金属酸化物含有層(32)を構造化し、金属酸化物含有層(32)の少なくとも縁部(32A)を覆う修復層(34)を被覆し、その際この層は、金属酸化物含有層(32)に含まれているが、構造化により縁部(32A)で化学量論的組成で不足量を有する、少なくとも1種の元素を含有し、かつ金属酸化物含有層(32)の縁部(32A)の損傷領域で修復層(34)から元素の拡散が行われるように熱処理を実施するを有する、構造化された金属酸化物含有層(32)を製造する方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/105

FI (6件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 21/316 P ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 651