特許

J-GLOBAL ID：200903024360004300

絶縁体上シリコンウエハの製造のための単一エッチングストップ方法

発明者： アイヤー,サブラマニアン・エス ,  バラン,エミール ,  マストロヤンニ,マーク・エル ,  クレイブン,ロバート・エイ
出願人/特許権者： シボンド・リミテッド・ライアビリテイ・カンパニー
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-528591
公開番号（公開出願番号）：特表平11-502674
出願日： 1996年03月21日
公開日（公表日）： 1999年03月02日
要約：

【要約】絶縁体上シリコンウエハの製造のための単一エッチングストップ方法。この方法は、基材層(26)、オキシド層(28)、デバイス層(22)、およびデバイスウエハ(20)を有して成る絶縁体上シリコン結合ウエハを形成することを含む。デバイス層(22)はデバイスウエハ(20)とオキシド層(28)との間に位置し、オキシド層(28)はデバイス層(22)と基材層(26)との間に位置する。デバイスウエハ(20)は、p+またはn+導電型を有し、約0.005Ω・cm〜約0.1Ω・cmの範囲の抵抗率を有する。デバイスウエハ(20)の一部を、絶縁体上シリコン結合ウエハから除去し、デバイスウエハ(20)の残り部分が、そのような除去後に無欠陥表面を有する。次に、デバイスウエハ(20)の残り部分をエッチングして、デバイス層(22)を露出させる。

請求項（抜粋）：

絶縁体上シリコンウエハの製造のための、単一エッチングストップ方法であって、 基材層、オキシド層、デバイス層、およびデバイスウエハを有して成る絶縁体上シリコン結合ウエハを形成し、ここで、デバイス層はデバイスウエハとオキシド層との間に位置し、オキシド層はデバイス層と基材層との間に位置し、デバイスウエハは、p+導電型を有し、約0.005Ω・cm〜約0.1Ω・cmの範囲の抵抗率を有する; デバイスウエハの一部を、絶縁体上シリコン結合ウエハから除去し、ここで、デバイスウエハの残り部分が、除去後に無欠陥表面を有する;および デバイスウエハの残り部分をエッチングして、デバイス層を露出させる;ことを含んで成る方法。

IPC (4件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 27/12 Z ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 622 W ,  H01L 21/306 B