特許

J-GLOBAL ID：200903024360883568

半導体装置

発明者： 西川 幸江 ,  石川 正行 ,  波多腰 玄一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-052448
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268319
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】本発明は、注入した電流を効果的に狭窄し得る構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。【構成】本発明による半導体装置は、エネルギービームを照射され、不純物の電気的活性化率が低下されて電気伝導率が低下された高抵抗層21,22を有する半導体層を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

エネルギービームの照射により不純物の電気的活性化率が低下され、電気伝導率が低下された部分を有する半導体層を含むことを特徴とする半導体装置。