電極基板およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-004471
公開番号（公開出願番号）：特開平11-282383
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】優れた光学特性(透過率、反射率)、低い電気的接続抵抗、良好なパターニング性、および高い信頼性を全て兼ね備えた導電膜が形成された電極基板を提供する。【解決手段】基板と多層導電膜とを具備する表示装置用電極基板であって、前記多層導電膜は、銀系薄膜との界面における銀の動きを抑制する非晶質ないし非晶質様な酸化物からなる下側非晶質酸化物層と、銀系薄膜と、銀系薄膜との界面における銀の動きを抑制する非晶質ないし非晶質様な酸化物からなる上側非晶質酸化物層とを備え、少なくとも前記上側非晶質酸化物層の膜厚は20nm以下であることを特徴とする表示装置用電極基板。

請求項（抜粋）：

基板と所定のパターン形状とした多層導電膜とを具備する表示装置用電極基板であって、前記多層導電膜は、銀系薄膜との界面における銀の動きを抑制する非晶質ないし非晶質様な酸化物からなる下側非晶質酸化物層と、銀系薄膜と、銀系薄膜との界面における銀の動きを抑制する非晶質ないし非晶質様な酸化物からなる上側非晶質酸化物層とを備え、少なくとも前記上側非晶質酸化物層の膜厚は20nm以下であることを特徴とする表示装置用電極基板。

IPC (3件)：

G09F 9/30 335 , G02F 1/1343 , H01B 5/14

FI (3件)：

G09F 9/30 335 , G02F 1/1343 , H01B 5/14 A

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