特許
J-GLOBAL ID:200903024370825701

トランジスタの温度を用いてバイアス制御する高周波電力増幅器

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-195455
公開番号(公開出願番号):特開2001-024445
出願日: 1999年07月09日
公開日(公表日): 2001年01月26日
要約:
【要約】【課題】 安定した高周波電力増幅器を提供する。【解決手段】 入力整合回路と出力整合回路を有し、ドレイン電圧供給回路とバイアス供給回路を備え、電界効果型トランジスタを増幅素子とした高周波電力増幅器において、この電界効果型トランジスタを囲むように複数の熱電対を直列に接続し、この起電力(FETの温度)を前記バイアス供給回路に与え、前記バイアス供給回路は前記起電力に基づいたバイアス電圧をこのFETに与えることにより、動作が安定した高周波電力増幅器を得る。
請求項(抜粋):
入力整合回路と出力整合回路を有し、ドレイン電圧供給回路とバイアス供給回路を備え、電界効果型トランジスタを増幅素子とした高周波電力増幅器において、前記電界効果型トランジスタの温度を温度測定手段により電圧値で得て、この起電力を前記バイアス供給回路に与え、前記バイアス供給回路は前記起電力に基づいたバイアス電圧を前記電界効果型トランジスタに与えることを特徴とする高周波電力増幅器。
IPC (2件):
H03F 1/30 ,  H03F 3/21
FI (2件):
H03F 1/30 A ,  H03F 3/21
Fターム (39件):
5J090AA04 ,  5J090AA41 ,  5J090CA02 ,  5J090CA57 ,  5J090CN03 ,  5J090CN04 ,  5J090FA08 ,  5J090FA10 ,  5J090FN06 ,  5J090FN07 ,  5J090FN14 ,  5J090HA09 ,  5J090HA43 ,  5J090HN20 ,  5J090KA12 ,  5J090KA29 ,  5J090KA48 ,  5J090MA22 ,  5J090QA04 ,  5J090SA14 ,  5J090TA01 ,  5J091AA04 ,  5J091AA41 ,  5J091CA02 ,  5J091CA57 ,  5J091FA08 ,  5J091FA10 ,  5J091FP08 ,  5J091GP02 ,  5J091HA09 ,  5J091HA43 ,  5J091KA12 ,  5J091KA29 ,  5J091KA48 ,  5J091MA22 ,  5J091QA04 ,  5J091SA14 ,  5J091TA01 ,  5J091UW08

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