特許
J-GLOBAL ID：200903024377086572

SIMOX(酸素注入による分離)工程のために埋込み酸化膜厚さをパターン形成する方法

発明者：
ガイ・モシュ・チェン

ガイ・モシュ・チェン について

, 
デヴェンドラ・クマー・サダナ

デヴェンドラ・クマー・サダナ について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-136570
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009145
出願日： 2001年05月07日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】 パターン形成埋込み酸化膜を形成する方法を提供すること。【解決手段】 パターン形成埋込み酸化膜を形成する方法は、基板への注入を実行するステップと、注入拡散を制御するために基板の少なくとも一部分の上にマスクを形成するステップと、基板をアニールして埋込み酸化物を形成するステップとを含む。マスクは選択的にパターン形成することができる。マスクによって被覆された領域には、アニーリング雰囲気に直接さらされた領域より薄い埋込み酸化物ができる。
請求項（抜粋）：
基板への注入を実行するステップと、注入拡散を制御するために、前記基板の少なくとも一部分の上にマスクを形成するステップと、前記マスクをパターン形成するステップと、前記基板をアニールして埋込み酸化膜を形成するステップとを含み、前記マスクによって被覆される領域では、アニーリング雰囲気に直接さらされる領域より薄い埋込み酸化膜ができる、パターン形成埋込み酸化膜(BOX)の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/76 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/12
FI (5件)：
H01L 27/12 E ,  H01L 21/76 R ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/265 Z
Fターム (7件)：
5F032AA07 ,  5F032AA77 ,  5F032BA03 ,  5F032DA33 ,  5F032DA60 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体デバイス製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-145486   出願人：コマツ電子金属株式会社, 日本電信電話株式会社, エヌ・ティ・ティ・エレクトロニクステクノロジー株式会社
  • 特開平4-180250
  • 特開平2-007467

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