特許

J-GLOBAL ID：200903024378882259

半導体装置の製造方法、および半導体装置

発明者： 西村 勇
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-301779
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109913
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】 腐食性ガスを用いることなく、低抵抗のコンタクトを形成する。【解決手段】 シリコン基板1上に絶縁膜3を形成し、絶縁膜3内にコンタクトホール4を形成する。コンタクトホール4の内壁にバリアメタル/オーミック層5を形成する。その後、コンタクトホール4内のバリアメタル/オーミック層5上にシリコン膜6と金属膜7とを交互に積層した後、熱処理を行うことによって、コンタクトホール4内にシリサイド膜8を形成する。

請求項（抜粋）：

下地上に絶縁膜を形成する工程と、前記下地の表面に達するコンタクトホールを前記絶縁膜内に形成する工程と、前記コンタクトホールの内壁に、バリアメタル膜を形成する工程と、前記バリアメタルを形成した後、前記コンタクトホール内にシリサイド膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 C

Fターム (54件)：

4M104AA01 ,  4M104AA10 ,  4M104BB14 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH14 ,  4M104HH16 ,  5F033GG03 ,  5F033HH03 ,  5F033HH15 ,  5F033HH18 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033HH29 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ03 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ25 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ29 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP21 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033XX03 ,  5F033XX04 ,  5F033XX09 ,  5F033XX18

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平4-359513
  
• 特開平4-065122
  
• 特開平4-007826
  
• 特開平4-359513
  
• 特開平4-065122
  
• 特開平4-007826