半導体装置の検査方法、半導体装置の製造方法、半導体装置の検査装置、及び半導体製造システム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-096672
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299398
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】ホール又は配線溝の側壁荒れに対するイールドとの相関関係を明らかにし、側壁荒れに応じて良否を判定する半導体装置の検査方法を提供すること。【解決手段】半導体基板を含む被処理基板に形成された凹部側壁の輪郭線を求めるステップ(S203)と、前記凹部側壁の輪郭線の振幅Bを求め、前記凹部側壁の輪郭線を周波数解析して該輪郭の周期2Aを算出するステップ(S204)と、算出された周期2Aと振幅Bとから、振幅Bと半周期Aとの比B/Aを算出するステップ(S205)と、算出されたB/Aに応じて、前記凹部の良否を判定するステップ(S206)とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板を含む被処理基板に形成された凹部側壁の輪郭線を求めるステップと、前記凹部側壁の輪郭線の振幅Bを求めるステップと、前記凹部側壁の輪郭線を周波数解析して、該輪郭の周期2Aを算出するステップと、算出された周期2Aと振幅Bとから、振幅Bと半周期Aとの比B/Aを算出するステップと、算出されたB/Aに応じて、前記凹部の良否を判定するステップとを含むことを特徴とする半導体装置の検査方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 , H01L 21/76 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/66 Q , H01L 21/76 L , H01L 21/88 A

Fターム (42件)：

4M106AA01 , 4M106AA13 , 4M106BA02 , 4M106CA39 , 4M106DH04 , 4M106DH24 , 4M106DH33 , 4M106DJ20 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA77 , 5F032CA00 , 5F032DA24 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033MM23 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN33 , 5F033QQ37 , 5F033VV12 , 5F033XX37

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