特許
J-GLOBAL ID：200903024381123857

Cu配線膜形成方法

発明者：
戸部 了己

戸部 了己 について

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土井 浩志

土井 浩志 について

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関口 敦

関口 敦 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-135591
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332020
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】半導体デバイスでCu配線を用いる場合に、下地膜の不具合部分の除去と膜質改善を図り、かつ簡易な構成と簡略な工程で密着性向上、除去、膜質改善を行い、製作コストの上昇とスループットの低下を抑制したCu配線膜形成方法を提供する。【解決手段】このCu配線膜形成方法は、拡散バリア用TiN膜を成膜し、TiN膜の上にCu配線膜を成膜する方法であり、TiN膜の成膜工程とCu配線膜の成膜工程の間に、ビアホールの底部に存するTiN膜をアルゴン、窒素、および水素のうちいずれか1種類のガス、あるいは2種類以上の混合ガスを用いて除去するスパッタエッチング工程を設けたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
MOCVD法により原料としてテトラキスジアルキルアミノチタン(TDAAT)を用いて拡散バリア用TiN膜を成膜し、前記TiN膜の上に配線用Cu膜を成膜する方法であって、前記TiN膜の成膜工程と前記Cu膜の成膜工程の間にビアホールの底部に存するTiN膜を15Pa以下の圧力範囲で、アルゴン、窒素、および水素のうちいずれか1種類のガス、あるいは2種類以上の混合ガスを用いて除去するプラズマ処理工程を設けたことを特徴とするCu配線膜形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3213 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
H01L 21/88 D ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/90 A
Fターム (63件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA01 ,  4K030FA02 ,  4K030FA03 ,  4K030FA04 ,  4K030HA01 ,  4K030JA09 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF18 ,  4M104FF23 ,  4M104HH01 ,  4M104HH08 ,  5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BA04 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BC06 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK33 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ98 ,  5F033XX05 ,  5F033XX13 ,  5F033XX34
引用特許：
審査官引用 (1件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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