絶縁膜の製造方法及びこの絶縁膜を使用する半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：寒川誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-123018
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169762
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】半導体膜との界面に界面準位が発生しにくい絶縁膜の製造方法と、この絶縁膜の製造方法を使用してなす半導体装置の製造方法とを提供することを目的とする。【構成】放電及び/または放射線を使用して励起されたアンモニアもしくは窒素または混合ガスを半導体膜に接触させながら半導体膜にエネルギー線照射をなして、半導体膜の表面を窒化または酸窒化した後、放電及び/または放射線を使用して励起されたアンモニアもしくは窒素または混合ガスと、モノシランもしくはジシランもしくはトリシラン、または、これらシランのフッ素もしくは塩素による置換誘導体との混合ガスとを、前記の表面が窒化または酸窒化された半導体膜に接触させながら、この半導体膜にエネルギー線照射をなして、前記の半導体膜上に、窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜を形成する絶縁膜の製造方法と、この絶縁膜の製造方法を使用してなす半導体装置の製造方法である。

請求項（抜粋）：

放電及び/または放射線を使用して、アンモニアもしくは窒素、または、アンモニアと窒素との混合ガスもしくはアンモニアと窒素と酸素との混合ガスを励起し、該励起されたアンモニアもしくは窒素または混合ガスを半導体膜に接触させながら、該半導体膜にエネルギー線照射をなして、前記半導体膜の表面を窒化または酸窒化し、放電及び/または放射線を使用して、アンモニアもしくは窒素、または、アンモニアと窒素との混合ガスもしくはアンモニアと窒素と酸素との混合ガスを励起し、該励起されたアンモニアもしくは窒素または混合ガスと、モノシランもしくはジシランもしくはトリシラン、または、これらシランのフッ素もしくは塩素による置換誘導体との混合ガスとを、前記表面が窒化または酸窒化された半導体膜に接触させながら、該半導体膜にエネルギー線照射をなして、前記半導体膜上に、窒化シリコン膜または酸窒化シリコン膜を形成する工程を有することを特徴とする絶縁膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 , H01L 21/261 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 21/26 N , H01L 29/78 311 B

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開昭61-134028
特開昭61-134028
特開昭61-288431

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