高電圧スイッチ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-170553
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013687
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】 FET、IGBT等の電力用半導体を多数用いた高電圧スイッチにおいて、その構成を簡略化し、かつ、高速にターンオンさせることを目的とする。【構成】最下段のFET1のみゲートドライブ回路7でオン、オフし、その他のFET1は別に設けられたゲート電源用コンデンサ9により上記ゲートドライブ回路7に同期させてゲート電流を供給する。【効果】ゲートドライブ回路7を各FET1に対して個々に設ける必要がなく、各直列段のFET1を駆動するための電源供給も不要で、オン指令を最下段のFET1にのみ与えるだけで高電圧スイッチを構成する全てのFET1を一斉に、かつ、高速にオンすることができる。また、部品数が極めて少なく低コストを実現することができる。

請求項（抜粋）：

複数の半導体を直列接続し、最下段の半導体だけをオン、オフ制御するゲートドライブ回路を備えた高電圧スイッチにおいて、最上段の半導体の陽極にダイオードのアノードを接続し、前記ダイオードのカソードと前記最下段の半導体の陰極間にはゲート電源用コンデンサと第1の抵抗を直列接続し、前記ゲート電源用コンデンサの陽極側端子はゲート電流を制限する第2の抵抗とゲート電流バイパス用コンデンサを介して各半導体のゲートに接続し、各半導体の陽極と陰極間には分圧補正用コンデンサを接続し、各半導体のゲートと陰極間には第3の抵抗を接続し、各半導体のゲートと陰極間の静電容量に対し前記ゲート電源用コンデンサの容量はほぼ同じとし、前記ゲート電流バイパス用コンデンサの容量は十分小さくし、かつ前記分圧補正用コンデンサの容量は十分大きくしたことを特徴とする高電圧スイッチ。

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