特許

J-GLOBAL ID：200903024391842029

銀を含有する熱電気的な合成物

発明者： カナジディス,メルコーリ ,  シュ,クェイ-ファン
出願人/特許権者： ボード オブ トラスティース オペレイティング ミシガン ステイト ユニバーシティー
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-526122
公開番号（公開出願番号）：特表2007-505028
出願日： 2004年08月25日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：

本発明は、一般式がAg1-xMmM’Q2+mで示される、熱電気的な物質に関するものである。MはPb,Sn,Ca,Sr,Baなどの2価の遷移金属とそれらの組み合わせのうちから選択されるものであり、M’はBi,Sbとそれらの組み合わせのうちから選択されるものであり、QはSe,Te,Sとそれらの組み合わせから選択されるものである。また、8≦m≦24であり、0.01≦x≦0.7である。発明の実施例では、この複合物はn型半導体の性質を示した。実施例では、xは0.1から0.3であり、mは10から18である。複合物は、Ag,M,M’,Qの原料を化学式通り反応容器に加え、原料を加熱し、充分な時間溶解し、反応物を冷却する速度を調整して冷却することによって合成した。

請求項（抜粋）：

化学式Ag1-xMmM’Q2+mを持つ半導体物質であって、 Mは少なくともPb,Sn,Ca,Sr,Ba,2価遷移金属およびこれらの組み合わせの中から選択される1つの元素、 M’は少なくともBi,Sbおよびこれらの組み合わせの中から選択される1つの元素、 Qは少なくともSe,Te,Sおよびこれらの組み合わせの中から選択される1つの元素であるとともに、 8≦m≦24、および0.01≦x≦1であることを特徴とする半導体物質。

IPC (5件)：

C01G 30/00 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/14 ,  H02N 11/00 ,  C01B 19/00

FI (5件)：

C01G30/00 ,  H01L35/16 ,  H01L35/14 ,  H02N11/00 A ,  C01B19/00 Z

Fターム (4件)：

4G048AA01 ,  4G048AB01 ,  4G048AC08 ,  4G048AD06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-002379
  
• 熱電材料及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-127970   出願人：ヤマハ株式会社
• 特開平2-256283
  
• 特開平3-108781
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Cubic AgPbmSbTe2+m: bulk thermoelectric materials with high figure of merit