特許

J-GLOBAL ID：200903024393266815

熱電変換素子の製造方法及び該製造方法により製造された熱電変換素子

発明者： 都能 克博
出願人/特許権者： 株式会社サーモボニツク
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-003218
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055640
出願日： 1992年01月10日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 素子の生産性を高め歩留りを向上させ生産コストを低減すると共に、素子の特性を結晶成長法なみに改善でき、また素子の機械的及び熱的強度を向上させその破壊を回避できる熱電変換素子の製造方法及びその方法で製造された素子を提供する。【構成】 半導体粉末と高耐熱性で低反応性の電極用金属粉末とを層状に配置し、プラズマ活性焼結法を用いて半導体と電極を同時に一体成型する。チヤンバ1中で焼結用治具2に原料粉体3を入れ上部パンチ4と下部パンチ5で挟み、両方から加圧機構6により所定加圧力を加えながら、上下パンチにそれぞれ接続された上下パンチ電極7,8間に焼結電源9からパルス電流を流し、粉体粒子間にプラズマ放電させ焼結する。なお仮成形粉体3に電極用金属板や金属粉末を重ねて治具2に入れ、前記の方法により半導体の焼結と同時に電極と一体成型ができる。低温低圧で短時間に焼結でき、低純度原料でも素子特性が改善され生産性が高まる。

請求項（抜粋）：

プラズマ活性焼結法を用いて熱電変換素子用の半導体を製造する熱電変換素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 35/32 ,  H01L 35/34

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭50-115077
  
• 特開平1-123008
  
• 特公昭39-000051