特許
J-GLOBAL ID：200903024394668917
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-205918
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029499
出願日： 1992年07月09日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 一括消去の対象となるブロックの細分化を図り、ブロック内におけるメモリセルの消去特性のバラツキを抑制する。これにより、フラッシュメモリの消去・書き換えに要する時間を短縮し、フラッシュメモリを内蔵するマイクロコンピュータ等のシステム柔軟性及び信頼性を高める。【構成】 フラッシュメモリ等のブロック分割を、所定数のワード線に結合されるメモリセルを短縮として言わば横方向に行うとともに、その最小単位を、1本のワード線に結合されるメモリセルとする。これにより、フラッシュメモリの一括消去の対象となるブロックをワード線単位に細分化できるとともに、メモリセルのソース領域となる拡散層のブロック内での共有をなくし、ブロック内におけるメモリセルの消去特性のバラツキを抑制することができる。
請求項（抜粋）：
直交して配置されるワード線及びビット線ならびにこれらのワード線及びビット線の交点に格子状に配置されかつその所定数を単位とするブロックごとに電気的に消去可能な不揮発性のメモリセルを含むメモリアレイを具備し、上記ブロックのそれぞれが所定数のワード線に結合されるメモリセルを単位として構成されることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/10 434
, G11C 17/00 307 A
