特許
J-GLOBAL ID：200903024395535562
多層セラミック回路基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-045425
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243700
出願日： 1992年03月03日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 銅導体を用いる多層セラミック基板の焼成時に、銅粉末とセラミックグリーンシートとの焼結収縮開始温度が異なるために導体が断線することを防止する。【構成】 セラミック粉末、ガラスを主成分として、可塑剤および溶剤を添加して作製するグリーンシートにバイアホールを形成し、このバイアホールに導体粉末を充填した後、導体配線を印刷し、積層後、焼成して得る多層セラミック回路基板製造において、導体粉末として銅粉末に焼成中に700°C以上の温度で溶融するガラス粉末を5-24vol %の割合で混合して銅粉末の焼結開始温度を制御する。焼成中に溶融するガラス粉末の一部を焼成中に溶融しない高融点のガラス又はセラミック粉末に置換してもよい。
請求項（抜粋）：
セラミック粉末、ガラスを主成分として、可塑剤および溶剤を添加して作製するグリーンシートにバイアホールを形成し、このバイアホールに導体粉末を充填した後、導体配線を印刷し、積層後、焼成して得る多層セラミック回路基板の製造において、導体粉末として銅粉末に焼成中に700°C以上の温度で溶融するガラス粉末を5-24vol %の割合で混合して銅粉末の焼結開始温度を制御することを特徴とする多層セラミック回路基板の製造方法。
IPC (2件)：
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