特許
J-GLOBAL ID：200903024399913944
半導体装置電極
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-066419
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260913
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 ハンダ付け部の強度を高めるための中間基板部に用いる半導体装置電極を提供する事を目的とする。【解決手段】 半導体チップ1と中間基板2との接続を行う第1電極部3と、中間基板2に設けられ、材質がハンダと金属間化合物の形成により結合する金属あるいは表面処理からなりハンダの接合強度を向上させるための第2電極部8より構成したことを特徴とする半導体装置電極である。本発明により、ハンダ付け部の強度を高める電極構造が得られる。
請求項（抜粋）：
中間基板に半導体装置を実装し、外部との接続にAuめっきあるいはハンダボールが付いた電極を前記中間基板下面に有する構造の半導体装置および混成集積回路において、前記半導体装置および混成集積回路と基板との接続を行う第1電極部と、材質がハンダと金属間化合物の形成により結合する金属、あるいは表面処理からなりハンダの接合強度を向上させるための第2電極部より構成されていることを特徴とする半導体装置電極。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/32 D
, H01L 23/12 L
