特許
J-GLOBAL ID：200903024400460533
シリコン基板への溝の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-094182
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291234
出願日： 1992年04月14日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 本発明はシリコン基板に溝(実施例は光ファイバアレイなどのガイドに用いられるV溝)を形成する際、エッチングでその溝を形成した後、基板に付着したエッチング液が再エッチングをする場合悪影響を及ぼすことを除去する方法を提供するものである。【構成】 前記目的のため本発明は、前記溝14形成後、エッチング液9から基板1を引き上げ、希塩酸10で洗浄、即ち酸洗浄するようにしたものである。
請求項（抜粋）：
シリコン基板に溝を形成する工程において、該溝をエッチングで形成した後、そのエッチング液から前記基板を引き上げて、酸洗浄して基板に付着したエッチング液を除去する工程を含むことを特徴とするシリコン基板への溝の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306
, G02B 6/00 336
, H01L 21/304 341
