特許
J-GLOBAL ID：200903024402253560
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-191015
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041441
出願日： 1996年07月19日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 高出力半導体装置において、放熱効果の大きい放熱板を安価に提供する。【解決手段】 放熱板3は基板2との接合面積を最小にするために凸部4を有し、凸部4は基板2との接合面から下方にいくに従って漸次幅方向に広がる構造を有する。本構造により、放熱効果の大きい放熱板を実現する。また、放熱板3は、高温にて軟化させた金属素材8を引き抜き加工用金型5に高圧で押し込むことにより、成形されたバー状の素材8を必要な大きさに切断仕上げ加工することにより、放熱板3を形成する。
請求項（抜粋）：
高い放熱性が要求される半導体装置であって、電気回路基板と金属放熱板とを有し、電気回路基板は、半導体素子を搭載したものであり、金属放熱板は、電気回路基板の熱を放熱するものであって、板面に凸部が隆起して一体に成形されたものであり、凸部は、電気回路基板を支持するものであって、金属放熱板の板面から立上る側面が傾斜構造であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/36 C
, B21C 1/00 F
