特許

J-GLOBAL ID：200903024404010400

有機半導体デバイス、有機電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： ゼナン バオ ,  ジャン ヘンドリック シェーン
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-201704
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092411
出願日： 2002年07月10日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】 新規な有機電界効果トランジスタ(OFET)を提供する。【解決手段】 有機電界効果トランジスタ(OFET)はゲート、ソース及びドレインを有する。OFETは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の間に形成された有機分子の単層も有する。この単層はOFETのためのチャネル及びゲート誘電体層として機能する。

請求項（抜粋）：

誘電体層及びチャネルを付与する有機分子の層を有し、前記有機分子の層は、少なくとも1個の有機絶縁分子と少なくとも1個の有機半導体分子とから構成されている、ことを特徴とする有機半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/00

FI (3件)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/28

Fターム (14件)：

5F110AA16 ,  5F110CC07 ,  5F110EE02 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF21 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110HK02 ,  5F110HK09