特許
J-GLOBAL ID：200903024404985177
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-336695
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181174
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 配線材料に金属不純物を混入させる方法では、腐食や、不均一析出の影響で機械的強度が弱くなり、また、EM対策の竹の節構造ではSM耐性が悪くなる。【解決手段】 シリコン基板1上に第1シリコン酸化膜2を介して形成された配線10と第2シリコン酸化膜6との間に隙間7が設けられている。
請求項（抜粋）：
絶縁膜上に導電層及び第1層間絶縁膜が形成され、上記導電層及び上記第1層間絶縁膜上に第2層間絶縁膜が形成された半導体装置において、上記導電層と上記第1層間絶縁膜との間に隙間を有することを特徴とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 21/90 N
, H01L 21/90 K
, H01L 21/90 P
