特許
J-GLOBAL ID:200903024405510210

有機EL素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 坂上 正明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-155212
公開番号(公開出願番号):特開2003-347053
出願日: 2002年05月29日
公開日(公表日): 2003年12月05日
要約:
【要約】【課題】 有機エレクトロルミネッセンス素子において、エッチングに由来する劣化要因を排除し、良好な発光層のパターン形成を可能とする素子構造とその製造方法を提供する。【解決手段】 透明基板上に、透明電極とそれに対向する面に形成された対向電極と、この電極間に少なくとも発光層を形成した有機エレクトロルミネッセンス素子において、上記対向電極が、発光層のパターン形状と同じ形状になっている有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する際、上記発光層のパターン形成をサンドブラスト法により形成する。
請求項(抜粋):
透明電極が形成された透明基板と、前記透明電極上に形成された、発光層を含む有機EL層と、前記有機EL層上に形成された対向電極と、前記対向電極の上に設けられた、前記対向電極より硬質な金属膜と、を備えることを特徴とする有機EL素子。
IPC (3件):
H05B 33/14 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/26
FI (3件):
H05B 33/14 A ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/26 Z
Fターム (3件):
3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00

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